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3月25—29日，以“科技創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新深度融合”為主題的2026中關(guān)村論壇年會(huì)在北京舉行。來自100多個(gè)國家和地區(qū)的嘉賓齊聚一堂，分享創(chuàng)新成果，展望國際科技合作前景。與會(huì)人員表示，近年來，中國持續(xù)優(yōu)化創(chuàng)新生態(tài)，推動(dòng)前沿技術(shù)與產(chǎn)業(yè)深度融合，不斷拓展與各國科技合作的深度與廣度，為全球科技繁榮發(fā)展貢獻(xiàn)中國方案。

面向世界科技前沿、經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場、國家重大需求、人民生命健康四大領(lǐng)域，2026中關(guān)村論壇年會(huì)重大成果專場發(fā)布會(huì)集中發(fā)布多項(xiàng)重磅成果。每一項(xiàng)都是科研人的深耕與堅(jiān)守，都代表著中國科技創(chuàng)新的硬核實(shí)力，都在為全球科技合作與發(fā)展注入實(shí)實(shí)在在的中國力量。

例如，中國科學(xué)院物理研究所發(fā)布了科技成果“首次實(shí)現(xiàn)二維金屬”。二維金屬是由單個(gè)原子層構(gòu)成的超薄金屬材料，厚度相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑的二十萬分之一。該團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造性發(fā)展了原子級(jí)制造的范德華擠壓技術(shù)，攻克了金屬材料無法穩(wěn)定存在于原子級(jí)厚度的世界性難題，首次將鉍、錫、鉛等金屬推進(jìn)到原子極限厚度的二維世界，將為超微型低功耗晶體管、透明顯示、高頻器件等眾多領(lǐng)域帶來顛覆性技術(shù)革新。

北京大學(xué)發(fā)布了科技成果“性能超越硅基的二維半導(dǎo)體晶圓”。當(dāng)傳統(tǒng)硅基芯片即將觸達(dá)性能極限，全球都在尋找下一代“芯片革命”的突破口。硒化銦因其優(yōu)異的電學(xué)性能，被譽(yù)為“黃金半導(dǎo)體”。該團(tuán)隊(duì)在國際上首次實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量二維硒化銦材料的晶圓級(jí)集成制造，并實(shí)現(xiàn)了2英寸高質(zhì)量硒化銦晶圓的規(guī)?；苽?，電子遷移率等核心指標(biāo)創(chuàng)下二維薄膜器件新紀(jì)錄，延遲時(shí)間降低至三分之一，能效提升10倍，為后摩爾時(shí)代芯片性能躍升提供全新材料路徑。

北京通用人工智能研究院發(fā)布了科技成果“通智大腦：領(lǐng)航下一代通用機(jī)器人”。該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的“通智大腦”，構(gòu)建了一套貫通“感知—理解—決策—執(zhí)行”閉環(huán)的智能框架，為機(jī)器人裝上一套可通用、能思考的“決策中樞”和控制運(yùn)動(dòng)能力、提升協(xié)調(diào)性能的“運(yùn)控系統(tǒng)”。領(lǐng)先的力位混合控制算法將復(fù)雜任務(wù)成功率提升近40%，已實(shí)現(xiàn)國內(nèi)首個(gè)機(jī)器人跨場景技能遷移，在汽車制造、電網(wǎng)巡檢等真實(shí)生產(chǎn)中完成驗(yàn)證，將有力推動(dòng)具身智能走出實(shí)驗(yàn)室并邁向規(guī)模化落地。

從微觀世界的“超級(jí)顯微鏡”到守護(hù)國家能源安全的“國之重器”，從助推產(chǎn)業(yè)升級(jí)的關(guān)鍵技術(shù)到守護(hù)人民健康的創(chuàng)新突破，21項(xiàng)成果的發(fā)布不只是技術(shù)清單的列出，更是中國科技從“跟跑”到“領(lǐng)跑”的真實(shí)縮影。

據(jù)悉，中關(guān)村論壇創(chuàng)辦于2007年，以“創(chuàng)新與發(fā)展”為永久主題，是我國面向全球科技創(chuàng)新交流合作的國家級(jí)平臺(tái)。論壇由科技部、國家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部、國務(wù)院國資委、中國科學(xué)院、中國工程院、中國科協(xié)和北京市人民政府共同主辦。中關(guān)村論壇年會(huì)主要包含論壇會(huì)議、成果發(fā)布、技術(shù)交易、前沿大賽、配套活動(dòng)五大板塊，在年會(huì)期外，舉辦貫穿全年的常態(tài)化系列活動(dòng)，高位鏈接全球創(chuàng)新資源，推動(dòng)科技成果轉(zhuǎn)化落地。