納米半導體摻雜鋁可大大提高導電性
2013年05月17日 10:21 5698次瀏覽 來源： 中國有色網(wǎng) 分類： 新技術
科技部網(wǎng)站消息：納米電子學又前進了一步。一個德國馬克斯普朗克學會微結構物理學研究所參與的國際研究團隊發(fā)現(xiàn)了一個可以用來制作具有非常強導電性硅納米線的效應：利用鋁作為催化劑生成這類納米線?？茖W家們發(fā)現(xiàn)，硅在這一過程中吸收的鋁，大大超過了他們的預期。摻雜的鋁含量高，改善了納米線的導電性。這一效應可用來制造其他高摻雜性的納米材料。
科學家們發(fā)現(xiàn)，硅在這時候吸收的鋁甚至能超過熱力學定律允許的1萬倍。根據(jù)熱力學定律，硅晶體通過摻雜被鋁原子取代的原子數(shù)連百萬分之一都不到。但事實上，經(jīng)原子探針斷層掃描，該團隊的科學家發(fā)現(xiàn)，他們制作的摻雜鋁的硅納米線鋁含量高達約4%，而且鋁原子分布十分均勻。
有關這一發(fā)現(xiàn)的論文發(fā)表于2013年4月4日的《Nature》。
責任編輯：安子
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