太陽能級單晶硅片切割工藝技術研究成果通過評價
2011年07月01日 9:10 6307次瀏覽 來源： 中華人民共和國科學技術部 分類： 新技術
6月17日，青海省科技廳組織有關專家，對“太陽能級125×125單晶硅片切割工藝技術研究”項目進行了成果評價。與會專家一致認為該項研究成果達到國內先進水平。
該工藝對現(xiàn)有多線切割及硅片清洗工藝進行技術改進，采用導向陶瓷條定位、變槽距切割等技術，優(yōu)化了生產工藝，使產品成品率由70%提高到90%以上，單次切割產品率達到97%以上，增強了企業(yè)自主創(chuàng)新能力和產品市場競爭力。
通過項目實施制定出了太陽能級單晶硅片檢測企業(yè)標準，并編制完成了青海省地方標準《太陽能級單晶硅片質量要求》。專家委員會建議該公司對自主創(chuàng)新技術盡快實施知識產權保護。
責任編輯：lee
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